مواد
سیمسنگ نے بڑے پیمانے پر ون ٹیرابائٹ ای یو ایف ایس 2.1 اسٹوریج کی تیاری شروع کردی ہے ، کمپنی نے آج اعلان کیا۔ یہ اعلان افواہوں کے بعد سامنے آیا ہے کہ کمپنی ایک گیلکسی ایس 10 ایڈیشن کو ایک ٹیرابائٹ اسٹوریج کے ساتھ متعارف کرائے گی۔ اعلی صلاحیت والے فلیش اسٹوریج میں وہی جسمانی جگہ استعمال ہوتی ہے جیسا کہ پہلے اعلان کردہ 512 جی بی فلیش نے گلیکسی نوٹ 9 کے اعلی آخر ورژن میں پایا تھا۔
اسٹوریج سام سنگ کی جدید ترین V-NAND فلیش میموری ٹکنالوجی پر مبنی ہے جس میں کثافت ، کم بجلی کی ضروریات اور عام طور پر تیز رفتار ہوتی ہے۔ یہ واحد نینڈ سیلوں کی عمودی اسٹیکنگ کا استعمال کرتا ہے جو ، باقاعدگی سے نند کے افقی پرتوں کے انتظام کے مقابلے میں ، بہت زیادہ موثر ہے۔
صارفین کیا توقع کرسکتے ہیں؟
اگرچہ سام سنگ کا دعوی ہے کہ ای یو ایف ایس 2.1 پر مبنی اسٹوریج ایک ہزار میگا بائٹ فی سیکنڈ تک اعلی درجے کی پڑھنے کی رفتار حاصل کرسکتا ہے ، لیکن آپ کو حقیقی دنیا کے استعمال میں اس تعداد کو مارنے کا امکان نہیں ہے۔ بے ترتیب رفتار وہی ہے جو سیمسنگ کے ذریعہ جاری کردہ زیادہ سے زیادہ اور ابتدائی اعداد و شمار سے پتہ چلتا ہے کہ ان میں بھی تھوڑی بہت بہتری آئی ہے۔
بے ترتیب لکھنے کی رفتار ، خاص طور پر ، مستقل ہائی فریم شوٹنگ کی طرح ایپلی کیشنز کو قابل بنانا چاہئے۔ اب تک زیادہ تر فون صرف چند سیکنڈ تک ہائی فریم ریٹ والے ویڈیو کیپچر تک محدود ہیں۔ سام سنگ کا کہنا ہے کہ نئے V-NAND پر مبنی 1 ٹیرابائٹ اسٹوریج سلوشن پر زیادہ پڑھنے اور لکھنے کی رفتار 960 فریم فی سیکنڈ پر مستقل ، طویل مدتی ویڈیو ریکارڈنگ کو اہل بنانے کے لئے کافی ہوگی۔
کوریا کے پیانگٹک میں سیمسنگ کے پلانٹ میں فلیش اسٹوریج کی پیداوار شروع ہوگئی ہے اور ہم توقع کرتے ہیں کہ ایم ڈبلیو سی میں اعلی صلاحیت والے اسٹوریج کے ساتھ فون لانچ کرنے کے بارے میں سن شروع ہوجائے گی۔ پچھلی قیاس آرائیوں کے پیش نظر ، اور گلیکسی ایس 10 کی 20 فروری کو لانچ ہونے کی تصدیق ہوگئی ، اس کا ایک اچھا موقع ہے کہ ہم اس ہینڈسیٹ کے ورژن میں موجود اسٹوریج کو دیکھیں گے۔
آپ فون پر ایک ٹیرابائٹ اسٹوریج کے بارے میں کیا سوچتے ہیں؟ کیا آپ اعلی گنجائش کے جواز کے لئے کافی ذرائع ابلاغ رکھتے ہیں یا کیا آپ نے بادل کا پہلا مستقبل قبول کرلیا ہے؟
